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西班牙人胜皇家社会球迷图片: 美光第四代3D NAND采用替代柵極架構

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發表于 2019-10-9 11:07 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式

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存儲行業隨著物聯網時代的來臨也迎來了一波新的發展機遇,近日,根據最新消息顯示,美系存儲巨頭,美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代產品基于美光全新研發的替代柵極架構,將于明年開始小范圍量產。
根據知情人士透露,美光新型替代柵極架構將首次應用在128層閃存之中,繼續沿用CMOS陣列,新一代的替代柵極結構有望讓Die size和成本進一步減小。
美光集團CEO對此表示,目前已經成功完成替代柵極架構的3D NAND芯片的首次流片,這一里程碑的進展降低了產品技術向下一代技術過渡的風險,并且強調首代替代柵極架構將被應用在128層NAND產品上,先期會被應用到特定的產品線。

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