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巴萨和皇家社会直播: 吉時利——半導體分立器件I-V特性測試方案

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發表于 2019-10-8 16:22 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式

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吉時利——半導體分立器件I-V特性測試方案
半導體分立器件包含大量的雙端口或三端口器件,如二極管,晶體管,場效應管等,是組成集成電路的基礎。 直流I-V測試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用I-V特性分析,或I-V曲線,來決定器件的基本參數。微電子器件種類繁多,引腳數量和待測參數各不相同,除此以外,新材料和新器件對測試設備提出了更高的要求,要求測試設備具備更高的低電流測試能力,且能夠支持各種功率范圍的器件。
分立器件I-V特性測試的主要目的是通過實驗,幫助工 程師提取半導體器件的基本I-V特性參數,并在整個工 藝流程結束后評估器件的優劣。
隨著器件幾何尺寸的減小,半導體器件特性測試對測 試系統的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺 寸只有微米量級,這些對低噪聲源表,探針臺和顯微 鏡性能都提出了更高的要求。
半導體分立器件I-V特性測試方案,泰克公司與合作 伙伴使用泰克吉時利公司開發的高精度源測量單元 (SMU)為核心測試設備,配備使用簡便靈活,功能 豐富的CycleStar測試軟件,及精準穩定的探針臺,為客戶提供了可靠易用的解決方案,極大的提高了用戶 的工作效率。
吉時利方案特點
  豐富的內置元器件庫,可以根據測試要求選擇所需要的待測件類型;
測試和計算過程由軟件自動執行,能夠顯示數據和曲線,節省了大量的時間;
精準穩定的探針臺,針座分辨率可高達0.7um,顯微鏡放大倍數最高可達x195倍;
最高支持同時操作兩臺吉時利源表,可以完成三端口器件測試。
測試功能:
二極管特性的測量與分析
極型晶體管BJT特性的測量與分析  
MOSFET場效應晶體管特性的測量與分析  
MOS 器件的參數提取
系統結構:
系統主要由一臺或兩臺源精密源測量單元(SMU)、 夾具或探針臺、上位機軟件構成。以三端口MOSFET 器件為例,共需要以下設備:
1、兩臺吉時利 2450 精密源測量單元
2、四根三同軸電纜
3、夾具或帶有三同軸接口的探針臺
4、三同軸T型頭
5、上位機軟件與源測量單元(SMU)的連接方式如下圖所示,可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一個接口進行連接。
系統連接示意圖
典型方案配置
西安某高校現場演示圖
安泰測試已為西安多所院校、企業和研究所提供吉時利源表現場演示,并獲得客戶的高度認可,安泰測試將和泰克吉時利廠家一起,為客戶提供更優質的服務和全面的測試方案,為客戶解憂。
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